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可控硅和IGBT中频炉的区别

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发表时间:2023-09-27 13:43作者:海山机电来源:陕西海山机电有限公司网址:http://www.sxhszpl.com

       可控硅中频炉与IGBT中频炉虽然都可以制造成感应加热的电炉,但是其运行原理还是有很大的区别。可控硅中频炉主要采用晶闸管(SCR)全桥并联逆变固态电源,用于一万赫兹以下的加热频率。而IGBT电炉则使用绝缘栅双极晶体管(IGBT)半桥串联逆变固态电源,用于几十万赫兹以上的加热频率。这里,海山电炉小编就来介绍可控硅和IGBT中频炉的区别。

全自动锻造感应加热设备 .jpg

      1、可控硅中频炉的可控硅关断速度低,因此其加热频率低,适用于低频和中频范围。加热频率一般在100Hz--8000Hz之间。多用于锻造加热、圆钢热处理加热和铸造熔炼上等的加热上。

      2、IGBT中频炉的开关速度较高,意味着其加热频率比较高,一般其加热频率在10000Hz到几十万赫兹,多用于金属材料的表面加热,特别适合钢板、齿轮表面等加热热处理。

     3、在中频炉的加热功率上,可控硅晶闸管中频炉的(SCR)全桥并联逆变固态电源的承载能力相对较强,具有较高的加热的效率,因此中频炉加热设备可以设计制造的比较大,中频炉功率小则几百千瓦大则上万千瓦。

     4、IGBT中频炉有受到IGBT模块的影响,绝缘栅双极晶体管(IGBT)半桥串联逆变固态电源的承载能力相对较弱,其加热功率一般设计制造比较小,多在250Kw左右,如果加大IGBTIGBT中频炉的加热功率,IGBT模块发热量就会很大,造成经常烧损IGBT模块

     5、启动速度方面:由于晶闸管(SCR)全桥并联逆变固态电源的启动速度快,所以加热时间相对较短,适用于加热、熔炼金属和合金。而绝缘栅双极晶体管(IGBT)半桥串联逆变固态电源的启动速度较慢,加热时间相对较长。

     6、可控硅中频炉的控制方式相对简单,通过控制电流的导通方向和大小来控制中频炉的加热功率。而IGBT中频炉则可以通过改变栅极电压来控制中频炉电流的大小和方向,所以又称为调压型中频炉。

      7、可控硅中频炉主要用于中频应用和大电流高电压场合,如锻造加热、熔炼加热等。而IGBT则适用于高频、高效率、动态控制的应用,适用于更加灵活且频率要求高的表面热处理加热。

     8、维护方面:由于晶闸管中频炉(SCR)全桥并联逆变固态电源的稳定性较高,因此可控硅中频炉维护成本相对较低。而绝缘栅双极晶体管(IGBT)中频炉半桥串联逆变固态电源的稳定性较低,耐热性差,模块脆弱,需要更高的维护成本。

      9、IGBT中频炉控制复杂:相比全桥可控硅中频炉,半桥逆IGBT中频炉的控制更加复杂,需要使用更多的控制电路,这增加了设计和操作的复杂性。

      10、IGBT中频炉输出功率受限:半桥IGBT中频炉是单向电路,因此其输出的加热功率受限。这使得IGBT中频炉在一些需要较大功率的应用中可能无法满足需求。

      11、IGBT中频炉稳定性差:由于半桥IGBT中频炉在运行过程中可能会受到多种因素的影响,如负载变化、电源波动等,这可能导致IGBT中频炉输出波形的失真或不稳定。

      12、可控硅中频炉抗干扰能力强:可控硅中频炉的逆变采用平均值取样方案,提高了逆变的抗干扰能力。

      总体来说,可控硅中频炉具有加热均匀、高效节能、启动成功率高、可靠性强、控制精度高、抗干扰能力强等优点,在工业生产中得到广泛应用。

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       如有可控硅中频炉需求,请致电13891812360国经理;更多可控硅中频炉资讯,请关注陕西海山机电有限公司网站http://www.sxhszpl.com

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