可控硅和IGBT中频炉的区别158
可控硅中频炉与IGBT中频炉虽然都可以制造成感应加热的电炉，但是其运行原理还是有很大的区别。可控硅中频炉主要采用晶闸管（SCR）全桥并联逆变固态电源，用于一万赫兹以下的加热频率。而IGBT电炉则使用绝缘栅双极晶体管（IGBT）半桥串联逆变固态电源，用于几十万赫兹以上的加热频率。这里，海山电炉小编就来介绍可控硅和IGBT中频炉的区别。
1、可控硅中频炉的可控硅关断速度低，因此其加热频率低，适用于低频和中频范围。加热频率一般在100Hz--8000Hz之间。多用于锻造加热、圆钢热处理加热和铸造熔炼上等的加热上。 2、IGBT中频炉的开关速度较高，意味着其加热频率比较高，一般其加热频率在10000Hz到几十万赫兹，多用于金属材料的表面加热，特别适合钢板、齿轮表面等加热热处理。 3、在中频炉的加热功率上，可控硅晶闸管中频炉的（SCR）全桥并联逆变固态电源的承载能力相对较强，具有较高的加热的效率，因此中频炉加热设备可以设计制造的比较大，中频炉功率小则几百千瓦大则上万千瓦。 4、IGBT中频炉有受到IGBT模块的影响，绝缘栅双极晶体管（IGBT）半桥串联逆变固态电源的承载能力相对较弱，其加热功率一般设计制造比较小，多在250Kw左右，如果加大IGBTIGBT中频炉的加热功率，IGBT模块发热量就会很大，造成经常烧损IGBT模块。 5、启动速度方面：由于晶闸管（SCR）全桥并联逆变固态电源的启动速度快，所以加热时间相对较短，适用于加热、熔炼金属和合金。而绝缘栅双极晶体管（IGBT）半桥串联逆变固态电源的启动速度较慢，加热时间相对较长。 6、可控硅中频炉的控制方式相对简单，通过控制电流的导通方向和大小来控制中频炉的加热功率。而IGBT中频炉则可以通过改变栅极电压来控制中频炉电流的大小和方向，所以又称为调压型中频炉。 7、可控硅中频炉主要用于中频应用和大电流高电压场合，如锻造加热、熔炼加热等。而IGBT则适用于高频、高效率、动态控制的应用，适用于更加灵活且频率要求高的表面热处理加热。 8、维护方面：由于晶闸管中频炉（SCR）全桥并联逆变固态电源的稳定性较高，因此可控硅中频炉维护成本相对较低。而绝缘栅双极晶体管（IGBT）中频炉半桥串联逆变固态电源的稳定性较低，耐热性差，模块脆弱，需要更高的维护成本。 9、IGBT中频炉控制复杂：相比全桥可控硅中频炉，半桥逆IGBT中频炉的控制更加复杂，需要使用更多的控制电路，这增加了设计和操作的复杂性。 10、IGBT中频炉输出功率受限：半桥IGBT中频炉是单向电路，因此其输出的加热功率受限。这使得IGBT中频炉在一些需要较大功率的应用中可能无法满足需求。 11、IGBT中频炉稳定性差：由于半桥IGBT中频炉在运行过程中可能会受到多种因素的影响，如负载变化、电源波动等，这可能导致IGBT中频炉输出波形的失真或不稳定。 总体来说，可控硅中频炉具有加热均匀、高效节能、启动成功率高、可靠性强、控制精度高、抗干扰能力强等优点，在工业生产中得到广泛应用。
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